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nand flash 文章 進入nand flash技術社區

嵌入式軟件OTA升級，有哪幾種FLASH劃分方式？

  • 很多嵌入式硬件設備都集成了OTA功能，以便產品量產后可以通過遠程OTA等方式下載的APP應用程序。在使用帶有OTA功能的固件之前，其實還需要提前下載BootLoader程序，才能進一步下載APP程序，今天就來說說通過OTA方式升級固件時，幾種Flash（閃存）劃分方式。獨立型
  • 關鍵字： 嵌入式  OTA  FLASH  

應對降價：三星大幅減產西安工廠NAND閃存！

  • 1月13日消息，據媒體報道，三星電子已決定大幅減少其位于中國西安工廠的NAND閃存生產，以此應對全球NAND供應過剩導致的價格下跌，確保公司的收入和利潤。DRAMeXchange的數據顯示，截至2024年10月底，用于存儲卡和U盤的通用NAND閃存產品的價格較9月下降了29.18%。據行業消息，三星電子已將其西安工廠的晶圓投入量減少超過10%，每月平均產量預計將從20萬片減少至約17萬片。此外，三星韓國華城的12號和17號生產線也將調整其供應，導致整體產能降低。三星在2023年曾實施過類似的減產措施，當時
  • 關鍵字： 三星  NAND  閃存  存儲卡  U盤  晶圓  SK海力士  鎧俠  西部數據  美光  長江存儲  

SK 海力士新設 AI 芯片開發和量產部門，任命首席開發官及首席生產官

  • 12 月 5 日消息，據 Businesses Korea 今日報道，SK 海力士今日宣布完成 2025 年的高管任命和組織架構優化。本次調整任命了 1 位總裁、33 位新高管及 2 位研究員。為提升決策效率，該公司推行“C-Level”管理體系，依據核心職能分工明確責任與權限，業務單元被劃分為包括 AI 基礎設施（CMO）、未來技術研究院（CTO）、研發（CDO）和生產（CPO）在內的五大部門。據介紹，新設的 AI 芯片開發部門整合了 DRAM、NAND 和解決方案的開發能力，著眼于下一代 AI 內存等
  • 關鍵字： SK海力士  內存  NAND  

3Q24 NAND Flash營收季增4.8%，企業級SSD需求強勁，消費性訂單未復蘇

  • 根據TrendForce集邦咨詢最新調查，2024年第三季NAND Flash產業出貨量位元季減2%，但平均銷售單價（ASP）上漲7%，帶動產業整體營收達176億美元，季增4.8%。TrendForce集邦咨詢表示，不同應用領域的NAND Flash價格走勢在今年第三季出現分化，企業級SSD需求強勁，推升價格季增近15%，消費級SSD價格雖有小幅上漲，但訂單需求較前一季衰退。智能手機用產品因中國手機品牌嚴守低庫存策略，訂單大量減少，第三季合約價幾乎與上季持平。Wafer受零售市場需求疲軟影響，合約價反
  • 關鍵字： NAND Flash  企業級SSD  TrendForce  集邦咨詢  

三星大幅減少未來生產NAND所需光刻膠使用量

  • 據韓媒報道，稱三星電子在生產 3D NAND 閃存方面取得重大突破，在其中光刻工藝中大幅縮減光刻膠（PR）用量，降幅達到此前用量的一半。報道稱，此前每層涂層需要7-8cc的光刻膠，而三星通過精確控制涂布機的轉速（rpm）以及優化PR涂層后的蝕刻工藝，現在只需4-4.5cc。此外，三星使用了更厚的氟化氪（KrF）光刻膠，通常情況下一次工藝形成1層涂層，而使用更厚的光刻膠，三星可以一次形成多個層，從而提高工藝效率，但同時也有均勻性問題。東進半導體一直是三星KrF光刻膠的獨家供應商，為三星第7代（11微米）和第
  • 關鍵字： 三星  光刻膠  3D NAND  

兆易創新GD25/55全系列車規級SPI NOR Flash榮獲ISO 26262 ASIL D功能安全認證證書

  • 業界領先的半導體器件供應商兆易創新GigaDevice近日宣布，旗下GD25/55全系列車規級SPI NOR Flash獲得由國際公認的測試、檢驗和認證機構SGS授予的ISO 26262:2018 ASIL D汽車功能安全認證證書。這一成就不僅有力印證了GD25/55全系列車規級SPI NOR Flash在嚴苛汽車應用場景中的卓越安全性能和可靠性，也進一步鞏固了公司在SPI NOR Flash領域的領導地位。隨著汽車電子電氣組件數量的指數級增長，其安全性需求日益凸顯。ISO 26262作為國際權威汽車功能
  • 關鍵字： 兆易創新  SPI NOR Flash  

三星將出售西安芯片廠舊設備及產線

  • 據韓媒報道，三星近期將開始銷售前端和后端生產線的舊設備，其中包括位于中國西安的NAND工廠。報道稱，三星近期正在半導體部門（DS）實施大規模成本削減和產線調整，并正在考慮出售其中國半導體生產線的舊設備。預計出售程序將于明年正式開始，銷售的設備大部分是100級3D NAND設備。自去年以來，三星電子一直致力于將其西安工廠的工藝轉換為200層工藝。
  • 關鍵字： 三星  西安  NAND  

消息稱三星下代 400+ 層 V-NAND 2026 年推出，0a DRAM 采用 VCT 結構

  •  10 月 29 日消息，《韓國經濟日報》當地時間昨日表示，根據其掌握的最新三星半導體存儲路線圖，三星電子將于 2026 年推出的下代 V-NAND 堆疊層數超過 400，而預計于 2027 年推出的 0a nm DRAM 則將采用 VCT 結構。三星目前最先進的 NAND 和 DRAM 工藝分別為第 9 代 V-NAND 和 1b nm（12 納米級）DRAM。報道表示三星第 10 代（即下代） V-NAND 將被命名為 BV（Bonding Vertical） NAND，這是因為這代產品將調
  • 關鍵字： 三星  存儲   V-NAND   

TrendForce：預計 Q4 NAND Flash 合約價將下調 3% 至 8%

  • IT之家?10 月 15 日消息，根據 TrendForce 集邦咨詢最新調查，NAND Flash 產品受 2024 年下半年旺季不旺影響，wafer 合約價于第三季率先下跌，預期第四季跌幅將擴大至 10% 以上。IT之家注意到，模組產品部分，除了 Enterprise SSD 因訂單動能支撐，有望于第四季小漲 0% 至 5%；PC SSD 及 UFS 因買家的終端產品銷售不如預期，采購策略更加保守。TrendForce 預估，第四季 NAND Flash 產品整體合約價將出現季減 3% 至
  • 關鍵字： NAND 閃存  存儲  市場分析  

三星電子開發出其首款基于第八代V-NAND的車載SSD

  • 三星電子今日宣布成功開發其首款基于第八代V-NAND技術的PCIe 4.0車載SSD。三星新款AM9C1車載SSD憑借行業前沿的速度和更高的可靠性，成為適配車載應用端側人工智能功能的解決方案。三星新款256GB AM9C1車載SSD相比前代產品AM991，能效提高約50%，順序讀寫速度分別高達4,400MB/s和400MB/s。三星半導體基于第八代V-NAND技術的車載SSD AM9C1三星電子副總裁兼存儲器事業部汽車業務負責人Hyunduk Cho表示：“我們正在與全球自動駕駛汽車廠商合作，為這些企業提
  • 關鍵字： 三星電子  V-NAND  車載SSD  

三星首款！第八代V-NAND車載SSD發布：讀取4400MB/s

  • 9月24日消息，今日，三星電子宣布成功開發其首款基于第八代V-NAND 技術的PCIe 4.0車載SSD——AM9C1。相比前代產品AM991，AM9C1能效提高約50%，順序讀寫速度分別高達4400MB/s和400MB/s。三星表示，AM9C1能滿足汽車半導體質量標準AEC-Q1003的2級溫度測試標準，在-40°C至105°C寬幅的溫度范圍內能保持穩定運行。據介紹，AM9C1采用三星5nm主控，用戶可將TLC狀態切換至SLC模式，以此大幅提升讀寫速度。其中，讀取速度高達4700MB/s，寫入速度高達1
  • 關鍵字： 三星電子  NAND  PCIe 4.0  車載SSD  

2024二季度NAND Flash出貨增長放緩，AI SSD推動營收季增14%

  • 根據TrendForce集邦咨詢最新調查，由于Server（服務器）終端庫存調整接近尾聲，加上AI推動了大容量存儲產品需求，2024年第二季NAND Flash（閃存）價格持續上漲，但因為PC和智能手機廠商庫存偏高，導致第二季NAND Flash位元出貨量季減1%，平均銷售單價上漲了15%，總營收達167.96億美元，較前一季增長了14.2%。第二季起所有NAND Flash供應商已恢復盈利狀態，并計劃在第三季擴大產能，以滿足AI和服務器的強勁需求，但由于PC和智能手機今年上半年市場表現不佳，
  • 關鍵字： TrendForce  集邦咨詢  NAND Flash  AI SSD  

TrendForce：今年 Q2 NAND 閃存出貨增長放緩，AI SSD 推動營收環比增長 14%

  • IT之家 9 月 9 日消息，TrendForce 集邦咨詢今天下午發布報告指出，由于服務器終端庫存調整接近尾聲，加上 AI 推動了大容量存儲產品需求，今年第二季度 NAND Flash（閃存）價格持續上漲。但由于 PC 和智能手機廠商庫存偏高，導致 Q2 NAND Flash 位元出貨量環比下降 1%，平均銷售單價上漲了 15%，總營收達 167.96 億美元（IT之家備注：當前約 1193.37 億元人民幣），較前一季實現環比增長 14.2%。各廠商營收情況如下：三星：第二季時積極回應客戶對
  • 關鍵字： 內存  NAND Flash  

第八代BiCS FLASH厲害在哪里？

  • 第八代BiCS FLASH已然投入量產，意味著基于BiCS FLASH的產品也將得到新一輪升級。全新的BiCS FLASH無論在存儲密度、性能都有了顯著提升，特別是2Tb QLC NAND是當下業界內最大容量的存儲器。為了讓第八代BiCS FLASH突破存儲限制，鎧俠通過專有工藝和創新架構，實現了存儲芯片的縱向和橫向縮放平衡，所開發的CBA（CMOS directly Bonded to Array，外圍電路直接鍵合到存儲陣列）和3.6Gbps接口速度，給AI應用、數據中心、移動設備提供了更多潛在可能。技
  • 關鍵字： BiCS FLASH  閃存  flash  鎧俠  

消息稱三星電子確認平澤 P4 工廠 1c nm DRAM 內存產線投資，目標明年 6 月投運

  • IT之家 8 月 12 日消息，韓媒 ETNews 報道稱，三星電子內部已確認在平澤 P4 工廠建設 1c nm DRAM 內存產線的投資計劃，該產線目標明年 6 月投入運營。平澤 P4 是一座綜合性半導體生產中心，分為四期。在早前規劃中，一期為 NAND 閃存，二期為邏輯代工，三期、四期為 DRAM 內存。三星已在 P4 一期導入 DRAM 生產設備，但擱置了二期建設。而 1c nm DRAM 是第六代 20~10 nm 級內存工藝，各家的 1c nm（或對應的 1γ nm）產品目前均尚未正式
  • 關鍵字： NAND  閃存  三星電子  
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nand flash介紹

　Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線性宏單元模式，為固態大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數據的存儲，因而在業界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產品中包括數碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。 　　NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區域進行，如果目標區域已經有數 [ 查看詳細 ]

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